(資料圖)
據(jù)中國電科官方微信公眾號，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制。
關(guān)鍵詞： 中國電科
責任編輯：QL0009
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據(jù)中國電科官方微信公眾號，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制。
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