(相關(guān)資料圖)
從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。相關(guān)研究成果日前分別在線發(fā)表于《應(yīng)用物理通信》《IEEE電子設(shè)備通信》上。（科技日報）
關(guān)鍵詞： 電子設(shè)備 微電子學(xué)院
責(zé)任編輯：QL0009
(相關(guān)資料圖)
從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。相關(guān)研究成果日前分別在線發(fā)表于《應(yīng)用物理通信》《IEEE電子設(shè)備通信》上。（科技日報）
關(guān)鍵詞： 電子設(shè)備 微電子學(xué)院
關(guān)于我們| 聯(lián)系我們| 投稿合作| 法律聲明| 廣告投放
版權(quán)所有 © 2020 跑酷財經(jīng)網(wǎng)
所載文章、數(shù)據(jù)僅供參考，使用前務(wù)請仔細(xì)閱讀網(wǎng)站聲明。本站不作任何非法律允許范圍內(nèi)服務(wù)！
聯(lián)系我們:315 541 185@qq.com
